特許

J-GLOBAL ID：200903038445008357

素子分離領域形成方法

発明者： 沖 一郎
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-339011
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156167
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 LOCOS酸化が埋め込み酸化膜に達した後の過剰な酸化により、ボディ領域が底面側から酸化され、圧縮応力が発生する。【解決手段】 SOI基板の、ボディ領域3上にパッド酸化膜4及びシリコン窒化膜5を順次形成する。次にシリコン窒化膜5及びパッド酸化膜4の所定の領域を開口することで、ボディ領域3表面を露出させる。次に、表面が露出した複数のボディ領域3の内、最も面積が小さい領域以外の領域の表面にアルミニウム10を導入した後、LOCOS酸化膜9が埋め込み酸化膜2に達するまでシリコン局所酸化を行なう。その後、アルミニウムを含む酸化膜11を除去する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板、埋め込み酸化膜及びシリコン単結晶から成るボディ領域順次積層されて成るSOI基板の、前記ボディ領域にシリコン局所酸化によって、複数の素子分離領域を形成する素子分離領域形成方法において、前記ボディ領域上にパッド酸化膜及びシリコン窒化膜を順次形成する工程と、前記シリコン窒化膜及びパッド酸化膜の所定の領域を開口することで、ボディ領域表面を露出させる工程と、該表面が露出した複数のボディ領域の内、最も面積が小さい領域以外の領域の表面に、アルミニウムを導入した後、素子分離用酸化膜が前記埋め込み酸化膜に達するまでシリコン局所酸化を行ない前記表面が露出したボディ領域に素子分離領域を形成する工程と、前記導入されたアルミニウムを除去する工程とを有することを特徴とする素子分離領域形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/762 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/76

FI (4件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/76 D ,  H01L 21/76 M ,  H01L 21/94 A

Fターム (32件)：

4M108AA07 ,  4M108AB04 ,  4M108AB10 ,  4M108AB13 ,  4M108AB14 ,  4M108AC01 ,  4M108AC13 ,  4M108AC20 ,  4M108AC34 ,  4M108AC40 ,  4M108AC51 ,  4M108AD01 ,  4M108AD13 ,  4M108AD16 ,  5F032AA06 ,  5F032AA07 ,  5F032AA13 ,  5F032BA02 ,  5F032CA17 ,  5F032DA01 ,  5F032DA23 ,  5F032DA25 ,  5F032DA53 ,  5F032DA60 ,  5F032DA71 ,  5F058BA02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BE10 ,  5F058BF55 ,  5F058BF62 ,  5F058BJ01