特許
J-GLOBAL ID：200903038446770040
弾性表面波装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-022426
公開番号（公開出願番号）：特開平6-237143
出願日： 1993年02月10日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：
【要約】【目的】 増幅機能を備えた効率の高い弾性表面波装置を得る。【構成】 半導体基板と、半導体基板上に直接または絶縁体層を介して形成された圧電体層を備え、上記圧電体層の一面に、少なくとも1対の入力トランスデューサを、上記各対の入力トランスデューサから励振された弾性表面波が互いに作用し合って伝搬するように設け、上記弾性表面波が互いに作用し合う領域の上記圧電体層の面上にゲート電極を設け、上記半導体基板にソース電極とドレイン電極を設け、上記ソース電極とドレイン電極の間に所定のバイアス電圧を印加し、上記ソース電極またはドレイン電極から出力信号を取り出す。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、半導体基板上に直接または絶縁体層を介して形成された圧電体層を備え、上記圧電体層の一面に、少なくとも1対の入力トランスデューサを、上記各対の入力トランスデューサから励振された弾性表面波が互いに作用し合って伝搬するように設け、上記弾性表面波が互いに作用し合う領域の上記圧電体層の面上にゲート電極を設け、上記半導体基板にソース電極とドレイン電極を設け、上記ソース電極とドレイン電極の間に所定のバイアス電圧を印加し、上記ソース電極またはドレイン電極から出力信号を取り出すことを特徴とする弾性表面波装置。
IPC (4件)：
H03H 9/25
, H03F 3/193
, H03F 3/60
, H03H 9/72
