特許

J-GLOBAL ID：200903038451417862

レジストパターンの形成方法

発明者： 諸沢 成浩 ,  岩田 浩
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-136905
公開番号（公開出願番号）：特開平10-333340
出願日： 1997年05月27日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】 化学増幅型レジスト膜のドライエッチング耐性を向上させるとともにドライエッチングの際の線幅制御性を向上させることにより、安定したドライエッチングを行う。【解決手段】 化学増幅型レジスト膜をKrFレーザーによりパターニングしたあと、化学増幅型レジストが吸収を持つ単一波長ピークの光からなる光源でレジスト膜のパターンの変形しない基板温度で再露光する。再露光後、加熱することでレジスト膜の耐熱性とドライエッチ耐性とエッチングの際の線幅制御性を向上させる。

請求項（抜粋）：

パターニングする材料上に化学増幅型レジスト膜を形成する工程と、前記化学増幅型レジスト膜上に所望のパターンを有するマスクを用いて露光、現像して、前記化学増幅型レジスト膜にパターンを形成する工程と、前記化学増幅型レジスト膜が吸収を持つ単一波長ピークの光からなる光源で前記化学増幅型レジスト膜を再露光する工程と、を含むことを特徴としたレジストパターンの形成方法。

IPC (6件)：

G03F 7/40 501 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/027

FI (8件)：

G03F 7/40 501 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/30 502 A ,  H01L 21/30 502 D ,  H01L 21/30 571