半導体ウェーハの研磨装置および研磨方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石原詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-054504
公開番号（公開出願番号）：特開平9-314466
出願日： 1997年03月10日
公開日（公表日）： 1997年12月09日
要約：

【要約】【課題】鏡面研磨工程における半導体ウェーハの重金属汚染を効果的に防止することができるようにした半導体ウェーハの研磨装置及び研磨方法を提供する。【解決手段】回転可能に設けられた定盤を有する研磨装置本体と、該定盤上に研磨スラリー供給手段を介して供給される研磨スラリーを貯留する研磨スラリータンクとを具備する半導体ウェーハの研磨を行なう装置であって、上記研磨スラリー供給手段に該研磨スラリー中の重金属イオンを除去する手段を設けた。

請求項（抜粋）：

回転可能に設けられた定盤を有する研磨装置本体と、該定盤上に研磨スラリー供給手段を介して供給される研磨スラリーを貯留する研磨スラリータンクとを具備する半導体ウェーハの研磨を行なう装置であって、上記研磨スラリー供給手段に該研磨スラリー中の重金属イオンを除去する手段を設けたことを特徴とする半導体ウェーハの研磨装置。

IPC (2件)：

B24B 57/00 , H01L 21/304 321

FI (2件)：

B24B 57/00 , H01L 21/304 321 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-256665
加工面噴射冷却油劣化防止機構、及び温度調節機構、並びに該機構のついた冷却油供給装置。
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-113591 出願人：伸洋産業株式会社
特開平3-094883

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