特許

J-GLOBAL ID：200903038459283296

形状記憶合金素子の製造方法

発明者： 吉田 和司 ,  河田 裕志
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 安藤 淳二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-220865
公開番号（公開出願番号）：特開2002-039053
出願日： 2000年07月21日
公開日（公表日）： 2002年02月06日
要約：

【要約】【課題】 特別な冶具を使用することなしに、形状記憶合金薄膜と基板とが接合された構造の形状記憶合金素子を製造することができる製造方法を提供する。【解決手段】 形状記憶合金薄膜2と基板1とが接合された構造の形状記憶合金素子を製造する形状記憶合金素子の製造方法であって、基板1の表面に、この基板1とは熱膨張係数が異なる形状記憶合金薄膜2を形成した後、形状記憶合金薄膜2に形状記憶させるに十分な熱を加えることにより、形状記憶合金薄膜2と前記基板1の熱膨張係数が異なることに基づくバイメタル効果によって形成される弧状形状を形状記憶合金薄膜2に記憶させることを特徴とする形状記憶合金薄膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

形状記憶合金薄膜と基板とが接合された構造の形状記憶合金素子を製造する形状記憶合金素子の製造方法であって、基板の表面に、この基板とは熱膨張係数が異なる形状記憶合金薄膜を形成した後、形状記憶合金薄膜に形状記憶させるに十分な熱を加えることにより、形状記憶合金薄膜と前記基板の熱膨張係数が異なることに基づくバイメタル効果によって形成される弧状形状を形状記憶合金薄膜に記憶させることを特徴とする形状記憶合金薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

F03G 7/06 ,  C23C 14/06

FI (2件)：

F03G 7/06 E ,  C23C 14/06 N

Fターム (6件)：

4K029AA06 ,  4K029BA03 ,  4K029BA25 ,  4K029BB02 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05