特許

J-GLOBAL ID：200903038462237360

半導体装置の製造方法

発明者： 曽谷 直哉
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-235657
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291666
出願日： 2000年08月03日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：

【要約】【課題】 巨大な結晶粒または単結晶を歩留まりを低下させることなく形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 非晶質膜の非晶質部を低温に保持するとともに、非晶質膜の結晶成長の先端部を高温に連続加熱しながら、加熱領域を移動させることによって、非晶質膜を結晶化する。

請求項（抜粋）：

基板上に非晶質膜を形成する工程と、前記非晶質膜の非晶質部を低温に保持するとともに、前記非晶質膜の結晶成長の先端部を高温に連続加熱しながら、前記加熱領域を移動させることによって、前記非晶質膜を結晶化する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G09F 9/30 338

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (68件)：

5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094EB05 ,  5F052AA02 ,  5F052AA17 ,  5F052AA22 ,  5F052AA24 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB05 ,  5F052BB06 ,  5F052CA04 ,  5F052CA07 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA02 ,  5F052EA04 ,  5F052EA11 ,  5F052EA15 ,  5F052FA03 ,  5F052FA06 ,  5F052HA06 ,  5F052JA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP10 ,  5F110PP11 ,  5F110PP13 ,  5F110PP24 ,  5F110PP33 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ21

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-096921
  
• 特開平3-212931
  
• 特開平1-096921
  
• 特開平3-212931