特許
J-GLOBAL ID:200903038476172279
ゲッタ装置およびセンサ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
和泉 良彦 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-292621
公開番号(公開出願番号):特開2002-098046
出願日: 2000年09月26日
公開日(公表日): 2002年04月05日
要約:
【要約】【課題】ゲッタ材の活性化が均一にでき、ゲッタ材の量を必要最小限にする。【解決手段】シリコン基板101上に設けた薄膜ヒータ102と、薄膜ヒータ102上に設けたゲッタ層103とを有する。
請求項(抜粋):
基板上に設けた薄膜ヒータと、前記薄膜ヒータ上に設けたゲッタ層とを有することを特徴とするゲッタ装置。
IPC (2件):
FI (2件):
F04B 37/02 A
, G01J 1/02 C
Fターム (9件):
2G065AB02
, 2G065BA11
, 2G065BA38
, 3H076AA24
, 3H076BB21
, 3H076BB41
, 3H076BB50
, 3H076CC51
, 3H076CC99
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