特許

J-GLOBAL ID：200903038485800240

微小重力環境下での過冷却凝固を利用した単結晶材料の合成方法

発明者： 皆川 秀紀 ,  下川 勝義 ,  鈴木 良和
出願人/特許権者： 工業技術院長 ,  皆川 秀紀 ,  下川 勝義 ,  鈴木 良和
代理人 (2件)： 池浦 敏明 (外1名) ,  池浦 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-209693
公開番号（公開出願番号）：特開平11-035400
出願日： 1997年07月18日
公開日（公表日）： 1999年02月09日
要約：

【要約】【課題】 短時間の微小重力環境を利用することで簡単に単結晶を合成する方法を提供すること。【解決手段】 短時間微小重力環境下において、金属、半金属又は半導体の過冷却状態にある溶融液を少なくとも100°C/秒の降温速度で急速冷却することで一方向凝固させることを特徴とする単結晶材料の合成方法。

請求項（抜粋）：

短時間微小重力環境下において、金属、半金属又は半導体の過冷却状態にある溶融液を少なくとも100°C/秒の降温速度で急速冷却することで一方向凝固させることを特徴とする単結晶材料の合成方法。

IPC (3件)：

C30B 30/08 ,  C30B 21/00 ,  C30B 29/52

FI (3件)：

C30B 30/08 ,  C30B 21/00 ,  C30B 29/52