特許
J-GLOBAL ID:200903038489560170

自発光デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-139487
公開番号(公開出願番号):特開2004-342523
出願日: 2003年05月16日
公開日(公表日): 2004年12月02日
要約:
【課題】ボトムエミッション型の自発光デバイスにおいて、光取出面に凹凸が設けられていない自発光デバイスと比べて実質的に光取出効率が高く、かつ、特定方向の輝度が高く、デバイスから取り出された光を実質的に利用することが可能な自発光デバイスを提供する。【解決手段】ボトムエミッション型の有機ELデバイスであって、透明基板1は、有機EL素子2が形成された面とは反対側10の面が複数の凹凸を有する凹凸面とされ、凹凸面10は、JIS B0601-1994による算術平均粗さRaと局部山頂の平均間隔Sとの比Ra/Sが0.01以上0.07以下で、かつ、JIS B0601-1994による凹凸の平均間隔Smが、発光層が発する光の波長の内で最も長いものの3倍以上200倍以下、又は局部山頂の平均間隔Sが、発光層が発する光の波長の内で最も長いものの3倍以上200倍以下である。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
一対の電極に挟持された発光層を備えた自発光素子が基板上に形成され、発光層で発せられた光を基板側から外部へ出射する自発光デバイスであって、 前記基板は、自発光素子が形成された面とは反対側の面が複数の凹凸を有する凹凸面とされ、当該凹凸面は、下記条件(i)を満たしており、かつ、下記条件(a)又は(b)を満たしていることを特徴とする自発光デバイス。 (i)JIS B0601-1994による算術平均粗さRaと局部山頂の平均間隔Sとの比Ra/Sが0.01以上0.07以下。 (a)JIS B0601-1994による凹凸の平均間隔Smが、発光層が発する光の波長の内で最も長いものの3倍以上200倍以下。 (b)JIS B0601-1994による局部山頂の平均間隔Sが、発光層が発する光の波長の内で最も長いものの3倍以上200倍以下。
IPC (3件):
H05B33/02 ,  G02B5/02 ,  H05B33/14
FI (4件):
H05B33/02 ,  G02B5/02 B ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z
Fターム (14件):
2H042AA26 ,  2H042BA04 ,  2H042BA12 ,  2H042BA20 ,  3K007AB02 ,  3K007AB03 ,  3K007AB17 ,  3K007BB06 ,  3K007CA00 ,  3K007CB01 ,  3K007CC01 ,  3K007DA05 ,  3K007DB02 ,  3K007DB03
引用特許:
審査官引用 (7件)
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