特許
J-GLOBAL ID：200903038489645958
高抵抗化処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 修一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-320958
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154651
出願日： 1997年11月21日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：
【要約】【課題】 水素インプラントの場合にあって、比較的高い抵抗部を構成できるとともに、燃焼火炎等の火炎検知の用に供する場合にあっても、その高抵抗特性を喪失しない高抵抗部(絶縁部)を得ることができる高抵抗化処理方法を得る。【解決手段】 半導体の単結晶の特定部位に水素イオンを打ち込んで、前記水素イオンが打ち込まれた部位に高抵抗化部を形成する場合に、前記特定部位に前記水素イオンを打ち込んだ後、処理後の前記特定部位を、少なくとも10秒以上、700°Cより高く、1100°C以下の温度に維持して、前記特定部位をさらに高抵抗化する。
請求項（抜粋）：
半導体の単結晶の特定部位に水素イオンを打ち込んで、前記水素イオンが打ち込まれた部位に高抵抗化部を形成する高抵抗化処理方法であって、前記特定部位に前記水素イオンを打ち込んだ後、処理後の前記特定部位を、少なくとも10秒以上、700°Cより高く、1100°C以下の温度に維持して、前記特定部位を高抵抗化部とする高抵抗化処理方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/265 601 J
, H01L 21/265 601 A
, H01L 31/10 A
