特許
J-GLOBAL ID：200903038490320744
強誘電体メモリ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-106984
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321294
出願日： 1994年05月20日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 強誘電体を用いた不揮発性メモリ装置において従来問題となっていた、メモリセルキャパシタ電極であるプレート線の駆動を高速化する方式を提供する。【構成】 本発明では、強誘電体キャパシタとの整合性から必要とされる貴金属でなる抵抗の高いプレート線18a,18b,18cを、メモリセルアレイ106の短辺方向に配線し、メモリセルアレイ外部まで引き出す。これらのプレート線群を、メモリセルアレイ長辺方向にはしるアルミなどの低抵抗材料を用いた配線19と接続し、プレート線駆動回路107に接続する。
請求項（抜粋）：
トランジスタと強誘電体材料を用いたキャパシタとからなり、前記強誘電体キャパシタの第1および第2の端子を、それぞれ前記トランジスタのソース端子およびプレート線に接続した構成のメモリセルを複数個マトリクス状に配列したメモリセルアレイを有する強誘電体メモリ装置において、前記プレート線の材料として、前記メモリセルアレイ内部においては第1の配線層を用いて、前記メモリセルアレイの短辺方向にメモリセルアレイ外部まで配線し、各メモリセルから引き出されてきた前記プレート線群を、前記メモリセルアレイ外部において、前記メモリセルアレイ長辺方向にはしる前記第1の配線層よりも低抵抗である第2の配線層を用いた配線と短絡し、プレート線駆動回路に接続することを特徴とする強誘電体メモリ装置。
IPC (5件)：
H01L 27/10 451
, G11C 11/22
, G11C 14/00
, H01L 21/8242
, H01L 27/108
G11C 11/34 352 A
, H01L 27/10 325 J
