特許

J-GLOBAL ID：200903038491306915

電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器

発明者： 森脇 稔
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-040114
公開番号（公開出願番号）：特開2006-228921
出願日： 2005年02月17日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：

【課題】 高品質な画像表示を行うと共に、自由度が大きく且つ安定した電気光学装置を製造する。【解決手段】 複数の走査線を夫々短絡させて形成する工程と、該走査線に電気的に接続される駆動素子を形成する工程と、データ線又は画素電極と、走査線及び駆動素子とを層間絶縁する第1層間絶縁膜を形成する工程と、第1層間絶縁膜に、データ線又は画素電極と、駆動素子とを電気的に接続するためのコンタクトホールを開孔する工程と、データ線を形成する工程と、画素電極を形成する工程と、コンタクトホールを開孔する工程と別に行われ、第1層間絶縁膜に切断用孔を開孔することで走査線の短絡部分を切断する工程とを含む。【選択図】 図11

請求項（抜粋）：

基板上に、複数のデータ線及び複数の走査線と、前記データ線及び前記走査線の交差に対応して画素毎に形成された駆動素子と、該駆動素子に対応して設けられた画素電極とを備える電気光学装置の製造方法であって、 前記複数の走査線を相互に短絡させて形成する工程と、 前記駆動素子を形成する工程と、 前記データ線又は前記画素電極と、前記走査線及び前記駆動素子とを層間絶縁する第1層間絶縁膜を形成する工程と、 前記第1層間絶縁膜に、前記データ線又は前記画素電極と、前記駆動素子とを電気的に接続するためのコンタクトホールを開孔する工程と、 前記データ線を形成する工程と、 前記画素電極を形成する工程と、 前記コンタクトホールを開孔する工程と別に行われ、前記第1層間絶縁膜に切断用孔を開孔し、該開孔された切断用孔を利用して前記複数の走査線が短絡された部分を切断する工程と を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  G09F 9/30 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L29/78 623A ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 338 ,  H01L29/78 612D

Fターム (57件)：

2H092GA29 ,  2H092HA04 ,  2H092HA05 ,  2H092JA24 ,  2H092JA46 ,  2H092KA18 ,  2H092KB25 ,  2H092MA08 ,  2H092MA12 ,  2H092MA17 ,  2H092MA19 ,  5C094AA16 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094GB10 ,  5C094HA02 ,  5C094HA04 ,  5C094HA05 ,  5C094HA06 ,  5C094HA08 ,  5F110AA22 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110EE37 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL06 ,  5F110HL23 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN26 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN42 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ03 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特公平8-14667号公報
  
• 特許第3395598公報