特許
J-GLOBAL ID：200903038492516050
磁性膜の成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-028183
公開番号（公開出願番号）：特開平11-329837
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 従来では、Fe-Hf-O膜を成膜する場合、ターゲットとしてFeのターゲットとHfO2のターゲットとを使用していたが、これら2種類のターゲットでは、Fe-Hf-O膜の組成比を適性な範囲内に収めることができず、磁気特性は低下する。【解決手段】 Feで形成されたターゲット12上に、Fe3O4で形成された複数のチップ13と、HfO2で形成されたチップ14とを配置する。前記チップ13,14の枚数を適性に調節することにより、Fe-Hf-O膜の組成比を適性な範囲内に収めることが可能になる。
請求項（抜粋）：
成膜装置内に、ターゲットと、前記ターゲットと対向する基板を配置して、Fe,Co,Niのうち1種または2種以上の元素と、Ti,Zr,Hf,Nb,Ta,Cr,Mo,Si,P,C,W,B,Al,Ga,Geと希土類元素から選ばれる1種または2種以上の元素M、及び酸素を主に含有する磁性膜を成膜する方法であって、少なくともFe,Co,Niのうち1種または2種以上の元素Tの酸化物で形成されるターゲットと、Ti,Zr,Hf,Nb,Ta,Cr,Mo,Si,P,C,W,B,Al,Ga,Geと希土類元素から選ばれる1種または2種以上の元素Mの酸化物で形成されるターゲットとを用いることを特徴とする磁性膜の成膜方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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