特許

J-GLOBAL ID：200903038495642979

プラズマ処理装置

発明者： 渡辺 成一 ,  角屋 誠浩 ,  田村 仁
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-064750
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260757
出願日： 1999年03月11日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】エッチングの均一な処理に好適なプラズマ処理装置の提供。【解決手段】処理室内部にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、高周波電圧(rf電圧)を印加する手段と、真空排気装置が接続され内部を減圧可能な処理室と、前記処理室内へのガス供給装置とから成るプラズマ処理装置において、高周波電圧を印加する電極とrfシールドとの相対位置を変化させる等の手段により、両者の間のインピーダンスを可変できるように構成した。ウェハ外周部におけるイオンシースの形成を制御することができるため、ウェハに入射するイオンエネルギーおよびイオン量のウェハ面内分布を制御することができ、その結果ウェハのエッチング処理の面内分布を補正することができる。このため均一なエッチング処理を行うことができる。

請求項（抜粋）：

処理室内部にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、高周波電圧(rf電圧)を印加する手段と、真空排気装置が接続され内部を減圧可能な処理室と、前記処理室内へのガス供給装置とから成るプラズマ処理装置において、高周波電圧を印加する電極間とのインピーダンスを可変することが可能なrfシールドを有することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 D ,  C23F 4/00 G ,  H05H 1/46 C

Fターム (21件)：

4K057DA20 ,  4K057DD01 ,  4K057DM02 ,  4K057DM03 ,  4K057DM29 ,  4K057DM31 ,  4K057DM33 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA09 ,  5F004BA13 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004BC08 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F004CA06