特許
J-GLOBAL ID：200903038499451841
スパッタ用ターゲットおよび半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-024723
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221046
出願日： 1994年01月27日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 コンタクトホールのバリアメタルとなるTiN膜を安定して形成しうるようにする。成長速度の向上。パーティクルの発生の防止。【構成】 スパッタチャンバー1内の裏板3上には、Ti.8N.2ターゲット2がボンディングされている。基板ホルダー5上にシリコン基板4が搭載される。裏板3と基板ホルダー5との間には、板に多数の孔が設けられたコリメート板9が配置され、コリメート板9は防着板6に囲まれている。ガス導入口7よりArと窒素の混合ガスを導入し、ターゲット2が窒化されることがなく、シリコン基板上に形成される膜が窒化されるスパッタ条件でスパッタリングを行う。
請求項（抜粋）：
チタン(Ti)と窒素(N)からなるスパッタ用ターゲットであって、Ti1-X NX のXが0.1〜0.25であることを特徴とするスパッタ用ターゲット。
IPC (2件)：
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