特許
J-GLOBAL ID：200903038500599092
半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉澤 敬夫
, 蟹田 昌之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-149827
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332125
出願日： 2005年05月23日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：
【課題】 Si基板1の上に形成される窒化物半導体層8の結晶性を向上させた半導体素子を、さらには導電性をも向上させることができる半導体素子を提供する。【解決手段】 Si基板1の上に窒化物半導体層8を備えた半導体素子である。この半導体素子1は、Si基板1の側に、少なくとも第1の層4と第2の層5とを交互に積層した第1多層膜構造2と、第1多層膜構造2の上に、少なくとも第3の層6と第4の層7とを交互に積層した第2多層膜構造3と、を有している。第1の層4及び第3の層6は、第2の層5及び第4の層7のいずれよりもSi基板1との格子定数差が小さな組成の窒化物半導体であり、且つ、第2の層5及び第4の層7のいずれよりも膜厚が大きく、第1の層4は、第3の層6よりも膜厚が大きい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
Si基板の上に窒化物半導体層を備えた半導体素子であって、
前記窒化物半導体層は、
前記Si基板の側に、少なくとも第1の層と第2の層とを交互に積層した第1多層膜構造と、
前記第1多層膜構造の上に、少なくとも第3の層と第4の層とを交互に積層した第2多層膜構造と、
を有し、
前記第1の層及び前記第3の層は、前記第2の層及び前記第4の層のいずれよりも前記Si基板との格子定数差が小さな組成の窒化物半導体であり、且つ、前記第2の層及び第4の層のいずれよりも膜厚が大きく、
前記第1の層は、前記第3の層よりも膜厚が大きい、
ことを特徴とする半導体素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F041AA40
, 5F041CA05
, 5F041CA33
, 5F041CA40
, 5F041CA57
