特許

J-GLOBAL ID：200903038507085850

膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜

発明者： 林 英治 ,  長谷川 公一 ,  徐 榮秀
出願人/特許権者： ジェイエスアール株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-051136
公開番号（公開出願番号）：特開2001-115028
出願日： 2000年02月28日
公開日（公表日）： 2001年04月24日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、比誘電率特性および機械的強度に優れたシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物を得る。【解決手段】 (A)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を、シラン化合物1モルに対して0.1モル以上のアルカリ性化合物の存在下で加水分解し、縮合した加水分解縮合物Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR2 )4 ・・・・・(2)(式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c・・・・(3)〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数を示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2 )n -で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕ならびに(B)有機溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を、シラン化合物1モルに対して0.1モル以上のアルカリ性化合物の存在下で加水分解し、縮合した加水分解縮合物Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR2 )4 ・・・・・(2)(式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c・・・・(3)〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数を示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2 )n -で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕ならびに(B)有機溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。

IPC (7件)：

C08L 83/04 ,  C08G 77/06 ,  C08G 77/50 ,  C08L 83/14 ,  H01L 21/312 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14

FI (7件)：

C08L 83/04 ,  C08G 77/06 ,  C08G 77/50 ,  C08L 83/14 ,  H01L 21/312 C ,  C09D183/04 ,  C09D183/14