特許
J-GLOBAL ID：200903038518822287
薄膜磁気素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山田 稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-169898
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029732
出願日： 1993年07月09日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：
【要約】【目的】 絶縁性基板上に薄膜形成技術によって形成され、DC/DCコンバータなどの小容量(数ワット程度)の電源部品として用いられる薄膜磁気素子に関し、製造上の困難さを伴わずにQ値を向上することができる薄膜磁気素子の提供する。【構成】 絶縁性基板上に、コイル導体4としての機能を有する帯状の導電性金属層と、該導電性金属層の上下の層間絶縁膜5を介して該導電性金属層を挟むように形成された磁心としての機能を有する磁性層6a,6bとを有し、特定の周波数の信号を前記導電性金属層に印加することにより使用される薄膜磁気素子であって、前記磁性層6a,6bの膜厚が3〜5μmであり、前記導電性金属層の膜厚が前記磁性層6a,6bの膜厚の10〜20倍であり、かつ前記周波数は0.1〜5MHzであることを含み構成する。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に、コイル導体としての機能を有する帯状の導電性金属層と、該導電性金属層の上下の層間絶縁膜を介して該導電性金属層を挟むように形成された磁心としての機能を有する磁性層とを有し、特定の周波数の信号を前記導電性金属層に印加することにより使用される薄膜磁気素子であって、前記磁性層の膜厚が3〜5μmであり、前記導電性金属層の膜厚が前記磁性層の膜厚の10〜20倍であり、かつ前記周波数は0.1〜5MHzであることを特徴とする薄膜磁気素子。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
