特許

J-GLOBAL ID：200903038520757107

半導体構造及びその製造方法

発明者： ノーヤン キナイマン ,  ニティン ジャイン
出願人/特許権者： ザ ウィタカー コーポレーション
代理人 (1件)： タイコエレクトロニクスアンプ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-095730
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294731
出願日： 2000年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】低コストで信頼性の高い、作動周波数のガイドされた半波長と等しい全電気長を達成する半導体構造及びその製造方法の提供。【解決手段】高周波でのボンドワイヤ(1)用の改良された周波数共鳴は、曲折線(9)構造を有する整合要素(13)を使用することにより、実現化される。周波数共鳴は、設計によりある作動周波数で改善される。整合要素(13)は、高インピーダンス伝送線の長さとして調整し、次にボンドワイヤ(1)及び整合要素(13)の組合せ長さを作動周波数のガイドされた波長の半分の長さにすることにより、ボンドワイヤを補償する。

請求項（抜粋）：

基板上に配置される半導体ダイを具備し、該ダイが前記基板と電気的接続するためのダイコンタクトを有する半導体構造において、前記ダイコンタクト及び前記基板の間に、ガイドされた波長の半分を有する作動周波数で作動するために調整された相互接続構造が設けられ、該相互接続構造は、前記ダイコンタクトに接続されると共に基板コンタクトまで延びるボンドワイヤと、該ボンドワイヤとは反対側の前記基板コンタクトに接続された整合要素とを具備し、前記ボンドワイヤは、所定のワイヤ長と、該ワイヤ長に関連するインピーダンス値を有し、前記整合要素は、電気長の合計が前記作動周波数で前記ガイドされた波長の半分に略等しい高インピーダンス伝送線を具備することを特徴とする半導体構造。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 高周波集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-195876   出願人：松下電子工業株式会社
• 高周波増幅装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-160621   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平4-186645
  

審査官引用 (4件)

• 高周波集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-195876   出願人：松下電子工業株式会社
• 特開平4-186645
  
• 特開平4-186645
  
• 高周波増幅装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-160621   出願人：株式会社日立製作所