特許

J-GLOBAL ID：200903038525056930

フォトレジスト用フェノール樹脂

発明者： 実藤 徹 ,  中村 昌之 ,  忽那 正 ,  徳永 幸雄 ,  根尾 大
出願人/特許権者： 住友デュレズ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-253406
公開番号（公開出願番号）：特開平7-110576
出願日： 1993年10月08日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：

【要約】【構成】 1H-NMRスペクトルにより求めた核間メチレン結合のオルソ結合/パラ結合の比率(O/P比)が1.1以上であり、かつゲルパーミエーションクロマト法より求めた2核体成分の含有量が8%以下であり、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマト法により求めた数平均分子量が500〜2500であるフォトレジスト用フェノール樹脂。【効果】 本発明より得られた2核体成分の少ないハイオルソ型ノボラック樹脂を配合したポジ型フォトレジストは解像力(パターン形状)に優れ、かつ耐熱性、感度の良好でレジスト塗膜の乾燥工程時に低分子量揮発成分によるオーブン汚れの少なく良好な作業性を持つ。

請求項（抜粋）：

1H-NMRスペクトルにより求めた核間メチレン結合のオルソ結合/パラ結合の比率(O/P比)が1.1以上であり、かつゲルパーミエーションクロマト法より求めた2核体成分の含有量が8%以下であることを特徴とするフォトレジスト用フェノール樹脂。

IPC (2件)：

G03F 7/023 511 ,  C08G 8/10 NBC