特許

J-GLOBAL ID：200903038529767849

半導体装置

発明者： 高倉 信之
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 松本 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-173682
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021809
出願日： 1991年07月15日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】 1のセルで不揮発性の多値記憶ができるFLOTOX型EEPROMの実現を可能とする半導体装置を提供する。【構成】 浮遊ゲート型MOSトランジスタ構造とその制御ゲートを備え、前記MOSトランジスタ構造の浮遊ゲート直下の絶縁膜3の一部には浮遊ゲートへのトンネル電流注入用の薄層部分3aが設けられていて、前記制御ゲートの駆動により前記トンネル電流が流れるようになっている半導体装置において、前記制御ゲート2c,2dが複数本設けられていて、それぞれが個別に駆動できるようになっていることを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

浮遊ゲート型MOSトランジスタ構造とその制御ゲートを備え、前記MOSトランジスタ構造の浮遊ゲート直下の絶縁膜の一部には浮遊ゲートへのトンネル電流注入用の薄層部分が設けられていて、前記制御ゲートの駆動により前記トンネル電流が流れるようになっている半導体装置において、前記制御ゲートが複数本設けられていて、それぞれが個別に駆動できるようになっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 D ,  G11C 17/00 308