特許

J-GLOBAL ID：200903038532307042

絶縁膜の形成方法、および薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜の製造方法

発明者： 向井 裕二 ,  小寺 宏一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 粟野 重孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-128859
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338492
出願日： 1993年05月31日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：

【要約】【目的】 厚さ数十nmから数百nmの充分な膜厚の絶縁膜を材料の制約を受けることなく形成できる絶縁膜の形成方法を提供することを目的とする。【構成】 真空容器11内に、接地電極12と高周波電力を印加する高周波電極14を対向して設け、高周波電力を印加する高周波電極14に表面を絶縁膜化する導体薄膜を形成した基板16を配置し、対向した電極間に酸素または窒素を含むガスを供給し、基板16に形成した導体薄膜に電極17により負電圧を印加し、高周波プラズマを発生することにより、導体薄膜の表面に数十nmから数百nmの膜厚の絶縁膜を形成する。

請求項（抜粋）：

真空容器内に設置した接地電極と、高周波電力を印加する高周波電極からなる対向電極とを有し、表面を絶縁膜化する導体薄膜を形成した基板を前記高周波電力を印加する高周波電極に配置し、前記対向電極間に酸素または窒素を含むガスを供給し、前記導体薄膜に負電圧印加手段により負電圧を印加し、前記対向電極間に高周波電力を印加してプラズマを発生することにより前記導体薄膜の表面に絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/784