特許

J-GLOBAL ID：200903038533620259

半導体レーザ

発明者： 奥野 泰樹
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-300085
公開番号（公開出願番号）：特開平6-152055
出願日： 1992年11月10日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【構成】 1.0μm以下の厚さのZnSxSe1-x(0≦X≦1)により電流狭窄を行なった、100μm以上の電流注入される活性層幅を持つ半導体レーザ。【効果】 GaAsと格子定数の近いZnSxSe1-x(0≦X≦1)により電流狭窄を行なうことで、半導体レーザの活性層に働く応力を抑え、特性劣化のない高出力発振が可能な半導体レーザとなる。

請求項（抜粋）：

同一単結晶基板上に成長した、100μm以上の電流注入される活性層幅を有する半導体レーザに於て、電流狭窄通路作製用の絶縁膜にZnSxSe1-x(0≦X≦1)を用いることを特徴とする半導体レーザ。