特許
J-GLOBAL ID：200903038536788614
完全空乏領域化ボディ領域を有するロングチャネルトレンチゲート型パワーMOSFET
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 陽一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-542521
公開番号（公開出願番号）：特表2000-511353
出願日： 1997年05月21日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：
【要約】トレンチゲート型パワーMOSFETが、隣接するゲートトレンチ間のメサ内部に形成されたボディ領域(107)を有する。このボディ領域(107)のドープ濃度は、ボディ領域(107)が通常のドレイン電圧で完全に空乏領域化しないように設定される。MOSFETはまた、ボディ領域(107)と同じ導電型の材料でドープされたゲート(103)を有する。メサの幅及びボディ領域(107)とゲート(103)とのドープの濃度は、ソース-ボディ及びドレイン-ボディ接合部及びゲート(103)の複合作用によりボディ領域(107)が完全に空乏領域化されるように設定される。この結果、従来のようなソース-ボディの短絡をなくすことができ、セルのパッキング密度を高め、オン抵抗を低くすると同時に、MOSFETがオフ状態にあるときの漏れ電流のレベルを許容される範囲に維持することができる。
請求項（抜粋）：
トレンチゲート型パワーMOSFETであって、 半導体基板と、 溝形状部であるトレンチ内に配置されたゲートであって、前記トレンチが前記基板の上側表面から前記基板の内部に向かって延在し、前記ゲートが第1導電型の材料でドープされている、該ゲートと、 前記上側表面に隣接して形成された、前記第1導電型とは異なる第2導電型のソース領域と、 前記ソース領域の下層をなし、前記ソース領域とソース-ボディ結合部を形成する、前記第1導電型のボディ領域と、 前記ボディ領域の下層をなし、前記ボディ領域とドレイン-ボディ接合部とを形成する前記第2導電型のドレイン領域とを有することを特徴とし、 前記ソース-ボディ接合部と前記ドレイン-ボディ接合部との複合作用が、前記ボディ領域を空乏領域化させるのには不十分であり、かつ前記ソース-ボディ接合部、前記ドレイン-ボディ接合部、及び前記ゲートの複合作用が、前記ゲートが前記ソースの電圧と等しい電圧にバイアスされた時に前記ボディ領域を概ね空乏領域化させるに十分であることを特徴とするトレンチゲート型パワーMOSFET。
FI (2件)：
H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 657 A
