特許

J-GLOBAL ID：200903038556654231

酸化物強誘電薄膜の製造方法

発明者： 渡辺 俊二 ,  藤生 尚光
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 西澤 利夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-305125
公開番号（公開出願番号）：特開平5-139892
出願日： 1991年11月20日
公開日（公表日）： 1993年06月08日
要約：

【要約】【目的】 シリコン単結晶基板上に、良質なエピタキシャル強誘電薄膜を形成する。また、下部電極層の利用も可能とする。【構成】 シリコン単結晶(100)表面に緩衝層として硅化ニッケルNiSi2 (100)面をエピタキシャル成長させ、さらにその表面上に酸化マグネシウムMgO(100)面をエピタキシャル成長させた後に、酸化物強誘電薄膜をこの緩衝層表面上にエピタキシャル成長させる。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶基板の(100)面上に緩衝層として硅化ニッケル(100)面をエピタキシャル成長させ、さらにその表面上に酸化マグネシウム(100)面をエピタキシャル成長させた後に、酸化物強誘電薄膜をこの緩衝層表面上にエピタキシャル成長させることを特徴とする酸化物強誘電薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

C30B 29/16 ,  C23C 14/06 ,  C30B 25/02 ,  G02B 1/00 ,  H01L 41/24 ,  C30B 25/06