SOI基板の作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-233861
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082968
出願日： 1995年09月12日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【目的】本発明は、膜厚数百nmと薄く、表面が平滑で膜厚が均一であり、しかも欠陥が非常に少ない半導体膜を有するSOI基板を低コストで効率よく得ることができるSOI基板の作製方法を提供することを目的とする。【構成】半導体基板の表面を多孔質化して、前記半導体基板から延出する柱状部と、前記柱よりも太い頭部とを有する複数の柱を形成し、前記複数の柱を酸化することにより、前記柱の頭部を突出させ、前記柱間の間隙を酸化物で塞ぐにように酸化膜を形成し、この半導体基板に熱処理を施すことにより、半導体基板の表面を平坦化し、前記半導体基板の表面上に半導体材料の結晶を成長させて半導体薄膜を形成することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面を多孔質化して、前記半導体基板から延出する柱状部と、前記柱よりも太い頭部とを有する複数の柱を形成する工程と、前記複数の柱を酸化することにより、前記柱の頭部を突出させ、前記柱間の間隙を酸化物で塞ぐにように酸化膜を形成する工程と、この半導体基板に熱処理を施すことにより、半導体基板の表面を平坦化する工程と、前記半導体基板の表面上に半導体材料の結晶を成長させて半導体薄膜を形成する工程と、を具備することを特徴とするSOI基板の作製方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H01L 27/00 301 , H01L 27/12 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 29/78 626 C , H01L 21/205 , H01L 27/00 301 S , H01L 27/12 B , H01L 21/302 L , H01L 29/78 627 A

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