特許
J-GLOBAL ID：200903038562335440
p型化合物半導体の低抵抗化方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-074645
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266218
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：
【要約】【課題】 結晶成長後アニーリングを行なうことなく低抵抗なp型II-VI族化合物半導体または窒化ガリウム系化合物半導体を低抵抗化する方法を提供する。【解決手段】 MOCVD法によりエピタキシャル成長させたp型II-VI族化合物半導体または窒化ガリウム系化合物半導体に、それらp型化合物半導体の禁制帯幅のエネルギー以上のエネルギーをもつパルスレーザを照射して、このパルスレーザによって生成した電子-正孔対から生成したキャリアの電気的効果によりp型不純物と水素との結合を切り、p型化合物半導体内から水素を除去する低抵抗化方法。
請求項（抜粋）：
有機金属気相成長方法により基板上に成長させたp型II-VI族化合物半導体を低抵抗化するための方法であって、前記p型II-VI族化合物半導体の禁制帯幅以上のエネルギーをもつ波長より短い波長のパルスレーザ光を前記p型II-VI族化合物半導体の表面に照射することにより、前記p型II-VI族化合物半導体内に電子-正孔対を発生させて、前記p型II-VI族化合物半導体内のp型不純物と水素との結合を該電子-正孔対から生成したキャリアの電気的効果により切断し、該水素を前記p型II-VI族化合物半導体内から除去することを特徴とするp型化合物半導体の低抵抗化方法。
IPC (6件)：
H01L 21/428
, H01L 21/205
, H01L 21/268
, H01L 21/365
, H01L 33/00
, H01S 3/18
H01L 21/428
, H01L 21/205
, H01L 21/268 Z
, H01L 21/365
, H01L 33/00 D
, H01S 3/18
