特許

J-GLOBAL ID：200903038584351775

パターン形成方法

発明者： 吉村 俊之 ,  白石 洋 ,  山本 治朗 ,  岡崎 信次
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-084366
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297100
出願日： 1994年04月22日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】半導体加工において、低コストで高い寸法制御性を有するパターン形成を実現する。【構成】シリコン基板11上に形成したレジストであるクレゾールノボラック12に、ヘキサメチルジシラザン13を表面吸着させる。エネルギ線である電子線14を選択的に照射して、ヘキサメチルジシラザン13を除去する。その後、酸素プラズマ処理をすると、残存したヘキサメチルジシラザン13はSiO215となり、除去された部分のクレゾールノボラック12はエッチングされる。【効果】マスクの直接加工後に酸素プラズマによる異方性現像を行うために、低コストで寸法精度の高いパターン形成が可能となる。

請求項（抜粋）：

基板上にパターンを形成するパターン形成方法で、前記基板上に第一の材料を形成する工程,前記第一の材料表面部分に第二の材料を形成する工程,前記第二の材料に選択的にエネルギ線を照射して前記第二の材料を直接加工する工程,直接加工の結果出現した前記第二の材料が被わない前記第一の材料部分を除去する工程からなるパターン形成方法において、前記第一の材料表面部分に前記第二の材料を形成する工程が、少なくとも表面吸着、または前記第一の材料表面部分への前記第二の材料の拡散の何れかによることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (5件)：

H01L 21/30 541 P ,  H01L 21/30 564 ,  H01L 21/30 573 ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/31 C