特許

J-GLOBAL ID：200903038586958820

化合物半導体単結晶基板の評価方法

発明者： 島倉 春人 ,  山本 裕正
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-205642
公開番号（公開出願番号）：特開平8-068619
出願日： 1994年08月30日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】 エピタキシャル成長膜にスリップラインが発生するのを防止するのに有用な化合物半導体単結晶基板の評価方法を提供する。【構成】 偏光赤外線透過装置1を用い、発光源2から放射された赤外光をフィルター3、集光レンズ4、反射鏡5及び集光装置6を介して平行光とし、その平行光を第1の偏光板7により直線偏光させて基板20の全面に入射させる。その際、基板20を光軸の回りに0〜90°回転させる。そして、基板20を透過した赤外光を第2の偏光板8及びマクロズームレンズ9を介して赤外線カメラ10により検出し、その検出により得られた偏光赤外線透過像の強度及びその強度分布の均一性に基づいて、エピタキシャル成長膜にスリップラインが発生し易いか否かを評価する。【効果】 評価を非破壊で行なうことができ、また品質のより優れた基板の製造に有効であり、さらにはエピタキシャル成長を行う前に予め基板の選別を行なうこともできる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体単結晶よりなる基板を光軸の回りに0〜90°回転させながら、該基板表面全体に、平行化し且つ偏光子を介して直線偏光させた赤外光を照射し、前記基板を透過した赤外光を、前記偏光子の透過軸方向に直交する透過軸方向を有する検光子を介して検出器により検出し、その検出により得られた強度が最大となる回転角度における偏光赤外線透過像の強度及び該強度の分布の均一性に基づいて、前記基板上に化合物半導体層をエピタキシャル成長させたときに該エピタキシャル成長膜に発生するスリップラインの有無、長さ及び数の評価を行なうことを特徴とする化合物半導体単結晶基板の評価方法。

IPC (7件)：

G01B 11/30 ,  G01N 21/00 ,  G01N 21/21 ,  G01N 21/35 ,  G01N 21/88 ,  H01L 21/66 ,  C30B 29/40