特許

J-GLOBAL ID：200903038592027634

半導体装置の製造方法

発明者： 山田 節
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-224938
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047694
出願日： 1991年08月09日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 電界効果トランジスタ等の半導体装置の作製工程において、高濃度の不純物層を半導体基板内に容易に形成する。【構成】 半導体基板1上に、イオン阻止能を有するイオン阻止層2,半導体層3をこの順に積層した後((a),(b))、不純物となるイオンを注入する((c))。注入した不純物を活性化した後、結晶成長層4を積層する((d))。注入したイオンはイオン阻止層2には進入せず、イオン阻止層2と半導体層3との界面に高濃度の不純物が導入される。

請求項（抜粋）：

半導体基板内に不純物層を有する半導体装置を製造する方法において、前記半導体基板上にイオン阻止能を有するイオン阻止層を形成する工程と、該イオン阻止層上に半導体層を形成する工程と、該半導体層に不純物としてのイオンを注入する工程と、注入した不純物を活性化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 21/265 C ,  H01L 29/80 H