特許
J-GLOBAL ID：200903038592953008
薄膜多層配線基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-020096
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218645
出願日： 1992年02月05日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 パターン設計上の制約がなく、平坦な表面層を得ることができる薄膜多層配線基板の製造方法を提供する。【構成】 導体パターン2の形成された絶縁基板1に被着された絶縁層3にヴィアホール5を形成し、その上面全面に保護層6を形成した後、導体材料である銅を、電解めっき法により、ヴィアホール5が十分に埋まりさらに表面が平坦化するまで成膜し、しかる後、不要の銅を絶縁層3上の配線分まで除去して所望の形状を得る。
請求項（抜粋）：
導体パターンの形成された絶縁基板に被着された絶縁層にヴィアホールを形成し、その上面全面に保護層を形成した後、導体材料である銅を、電解めっき法により、ヴィアホールが十分に埋まりさらに表面が平坦化するまで成膜し、しかる後、不要の銅を絶縁層上の配線分まで除去して所望の形状を得ることを特徴とする薄膜多層配線基板の製造方法。
引用特許：
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