特許

J-GLOBAL ID：200903038600128429

半導体レーザ素子

発明者： 大久保 典雄 ,  菊田 俊夫
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-280640
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112584
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】 製作が容易で、端面破壊最大光出力が大きい半導体レーザ素子を提供する。【構成】 半導体基板1上に活性層5を含むダブルヘテロ構造と電極9を積層し、電極9から活性層5への電流注入領域を設けた半導体レーザ素子において、電流注入領域の反射端面近傍に、該電流注入領域内において相対的に高い立ち上がり電圧を有する金属9と半導体7のショットキー接合を設け、反射端面近傍における注入電流密度を低減する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に活性層を含むダブルヘテロ構造と電極を積層し、電極から活性層への電流注入領域を設けた半導体レーザ素子において、電流注入領域の反射端面近傍に、該電流注入領域内において相対的に高い立ち上がり電圧を有する金属と半導体のショットキー接合を設けたことを特徴とする半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭49-038593
  
• 特開平4-111375
  
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-232501   出願人：オリンパス光学工業株式会社