特許
J-GLOBAL ID：200903038600448989
半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-125811
公開番号（公開出願番号）：特開平7-312415
出願日： 1994年05月16日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：
【要約】【目的】 チップ面積の増大をもたらすことなく、電位安定化を可能とした電源配線構造をもつ半導体集積回路を提供する。【構成】 シリコン基板1に、絶縁膜2を介して形成された第1層導体配線3、この上に絶縁膜4を介して第1層導体配線3に沿って形成された第2層導体配線5、この上に絶縁膜6を介して第2層導体配線5に沿って形成された第1層金属配線7、更にこの上に絶縁膜8を介して第1層金属配線7に沿って形成された第2層金属配線9の4層構造をもって電源配線が構成される。第1層導体配線3はコンタクト孔11を介して基板1に接続される。第1層金属配線7は絶縁膜6,4を貫通して開けられたコンタクト孔12を介して第1層導体配線3に接続されて、GND線となる。第2層金属配線9は絶縁膜8,6を貫通して開けられたコンタクト孔13を介して第2層導体配線5に接続され、これがVDD線となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板に回路素子が集積形成された半導体集積回路において、前記回路素子に電源を供給する電源配線が、接地された第1層導体配線と、この第1層導体配線上に絶縁膜を介して第1層導体配線に沿って配設された第2層導体配線と、この第2層導体配線上に絶縁膜を介して第2層導体配線に沿って配設されて第2層導体配線と並列接続された金属配線とを有することを特徴とする半導体集積回路。
IPC (5件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/82
, H01L 21/3205
, H01L 21/768
H01L 27/04 D
, H01L 21/82 L
, H01L 21/88 Z
, H01L 21/90 W
