特許

J-GLOBAL ID：200903038603487934

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 吉田 親子 ,  能代 英之 ,  飯塚 隆 ,  木下 健太郎 ,  阿曽 広之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (4件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-251016
公開番号（公開出願番号）：特開2008-072031
出願日： 2006年09月15日
公開日（公表日）： 2008年03月27日
要約：

【課題】不揮発性半導体記憶装置に関し、抵抗変化型メモリセルの材料としてCMOSプロセスと親和性が良好なWを用い、その酸化物を利用して低コストで大容量の不揮発性半導体記憶装置を実現しようとする。【解決手段】Wプラグ2内に形成された抵抗体であるWO3 膜3、及び、Wプラグからなる上部電極或いは下部電極を備える抵抗変化型メモリセルを含んでなる不揮発性半導体記憶装置。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

コンタクトプラグ内に形成されたW酸化物からなる抵抗体、及び、該コンタクトプラグからなる上部電極或いは下部電極を備えて構成された抵抗変化型メモリセル を含んでなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

H01L 27/10 ,  H01L 49/00

FI (2件)：

H01L27/10 451 ,  H01L49/00

Fターム (16件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA09 ,  5F083GA21 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083JA60 ,  5F083MA04 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR40