特許

J-GLOBAL ID：200903038604659216

シリコン単結晶およびその熱処理方法

発明者： 岩崎 俊夫 ,  中静 恒夫 ,  中居 克彦 ,  小島 清
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-006801
公開番号（公開出願番号）：特開平6-211598
出願日： 1993年01月19日
公開日（公表日）： 1994年08月02日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、チョクラルスキー法(以下、CZ法)により製造された酸素析出が抑制されたシリコン単結晶およびその熱処理方法を提供することを目的とする。【構成】 CZ法により製造されたシリコン単結晶を1200°C〜1400°Cの高温で熱処理し、続いて950°C〜1100°Cの温度域で熱処理を行う。好ましくは、1200°C〜1400°Cの高温で熱処理した後、室温まで降温することなく引き続き950°C〜1100°Cの熱処理を行う。1200°C〜1400°Cの高温での熱処理時間は10分以上で効果がみられるが、好ましくは30分以上である。また950°C〜1100°Cの熱処理時間は1分以上で効果がみられるが、好ましくは10分以上である。シリコン単結晶はウェーハであってもインゴットあるいはブロックであっても良い。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法により製造されたシリコン単結晶を、さきに1200°C〜1400°Cで高温熱処理し、つづいて950°C〜1100°Cで熱処理することを特徴とするシリコン単結晶の熱処理方法。

IPC (5件)：

C30B 29/06 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 33/02 ,  C30B 15/00 ,  H01L 21/208

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平1-136343