特許
J-GLOBAL ID：200903038605702620
薄膜コンデンサ
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-226644
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045742
出願日： 2001年07月26日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：
【要約】【課題】本発明は下部電極層、上部電極の電極損失が小さく、且つ容量発生領域の面積を精度よく形成することができる薄膜コンデンサを提供する。【解決手段】 支持基板1上に下部電極層2、薄膜誘電体層3、上部電極層4を順次被着してなる薄膜コンデンサにおいて、前記下部電極層2は、支持基板1に密着して形成される下地導体層2aと、該下地導体層2aよりも面積が小さく且つ薄膜誘電体層3と密着して容量発生領域を規定する上部導体層2bとから成る薄膜コンデンサである。
請求項（抜粋）：
支持基板上に下部電極層、薄膜誘電体層、上部電極層を順次被着してなる薄膜コンデンサにおいて、前記下部電極層は、支持基板に密着して形成される下地導体層と、該下地導体層よりも面積が小さく且つ薄膜誘電体層と密着して容量発生領域を規定する上部導体層とから成ることを特徴とする薄膜コンデンサ。
Fターム (4件)：
5E082AB01
, 5E082EE05
, 5E082FF05
, 5E082FG42
