特許

J-GLOBAL ID：200903038618212613

化学気相析出法

発明者： 斎藤 正樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-122116
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310446
出願日： 1993年04月27日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】従来のCVD装置の改造を最小限に止めることができ、しかも、高い膜質と早い成膜速度を同時に満足させ得る新規のCVD法を提供する。【構成】本発明の化学気相析出法(CVD法)は、基板上への薄膜の成膜時、成膜開始直後の基板温度と、成膜終了直前の基板温度とを相違させることを特徴とする。成膜開始直後の基板温度よりも成膜終了直前の基板温度を高くすることが望ましい。

請求項（抜粋）：

基板上への薄膜の成膜時、成膜開始直後の基板温度と、成膜終了直前の基板温度とを相違させることを特徴とする化学気相析出法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316