特許
J-GLOBAL ID：200903038618943421
ダイヤモンド結晶、ダイヤモンド結晶膜、ダイヤモンド発光素子およびそれらの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-054195
公開番号（公開出願番号）：特開平6-263594
出願日： 1993年03月15日
公開日（公表日）： 1994年09月20日
要約：
【要約】【構成】 ダイヤモンド結晶形成時の基体温度を400〜900°Cとすることによって形成される結晶を{111}面配向性とし、選択堆積法等によって結晶核の発生密度を制御しながら、CVD法、燃焼炎法などの方法を用いて平板ダイヤモンド結晶を形成し、その結晶を成長、合体および膜状成長させることによって、ダイヤモンド多結晶膜とし、その結晶膜を用いてダイヤモンド発光素子を製造する。【効果】 本発明の方法で形成される配向性の高い平板ダイヤモンド結晶を、成長、合体および膜状成長させて得られるダイヤモンド結晶膜を用いて、輝度の低下あるいは素子破壊などの劣化を起こしにくい、耐久性の優れたダイヤモンド発光素子を製造することができる。
請求項（抜粋）：
気相合成法を用いて基体上へダイヤモンド結晶を析出させるダイヤモンド結晶形成方法において、少なくともダイヤモンド結晶の核発生初期に基体温度を400°Cないし900°Cの範囲に調節して、該結晶を{111}面配向性とすることを特徴とするダイヤモンド結晶形成方法。
IPC (3件)：
C30B 29/04
, H01B 3/00
, H01L 21/20
