特許
J-GLOBAL ID：200903038619523442
水素ガス精製装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-332947
公開番号（公開出願番号）：特開平6-171904
出願日： 1992年12月14日
公開日（公表日）： 1994年06月21日
要約：
【要約】【目的】 半導体製造プロセスなどに使用される精製水素ガスで、各不純物含有量が1ppb以下、更には0.1ppb以下のような超高純度の精製水素ガスを得る。【構成】 パラジウム合金水素透過膜を用いた水素ガス精製装置の二次側で、高温の精製水素ガスと接する部分の表面にクロムの皮膜を形成せしめる。
請求項（抜粋）：
加熱下でのパラジウム合金膜の水素選択透過性を利用した水素ガス精製装置において、該精製装置のパラジウム合金膜を透過した二次側であって、少なくとも高温の精製水素ガスが接触する部品の接ガス部の表面にクロム皮膜が形成せしめられてなることを特徴とする水素ガス精製装置。
IPC (3件)：
C01B 3/56
, B01D 53/22
, B01D 71/02 500
