層間絶縁膜の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-140447
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335629
出願日： 1995年06月07日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【目的】本発明は、信頼性に優れた層間絶縁膜を形成するとともにその表面の平坦化を低コストで実現する。【構成】基板(絶縁膜12を形成した半導体基板11)上に配線14を形成する際に、配線形成領域16を除く他の領域に該配線14と同一の配線形成層13でダミーパターン15を形成し、次いで配線14とダミーパターン15との各側壁にサイドウォール絶縁膜18,19 を形成した後、ダミーパターン15のみを除去する。そして配線14およびサイドウォール絶縁膜18,19 を覆う状態にかつサイドウォール絶縁膜19の内側部側に空洞22を形成した絶縁膜(第3絶縁膜21)を成膜する。その後第3絶縁膜21の表面を平坦化する。

請求項（抜粋）：

基板上に配線を形成する際に、該配線が設けられる配線形成領域を除く他の領域に該配線と同一の配線形成層でダミーパターンを形成する第1工程と、前記配線および前記ダミーパターンの各側壁にサイドウォール絶縁膜を形成する第2工程と、前記ダミーパターンを除去する第3工程と、前記配線および前記サイドウォール絶縁膜を覆うとともに該サイドウォール絶縁膜における前記ダミーパターンを除去した側に空洞を設ける状態に絶縁膜を成膜した後、該絶縁膜の表面を平坦化する第4工程とを備えたことを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。

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