特許

J-GLOBAL ID：200903038634934920

表面加工装置

発明者： 小野 哲郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-179982
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012529
出願日： 1998年06月26日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】プラズマを用いた半導体のエッチングにおいて、多結晶シリコンの形状異常と対酸化膜選択比の低下を同時に抑える。【解決手段】プラズマを用いる表面加工装置で、プラズマ中のイオンを加速するための高周波バイアス電源をオン・オフ変調すると同時に,オン期間のイオンの最大エネルギーを1100eV以上する。

請求項（抜粋）：

真空容器と、前記真空容器内にプラズマを発生させる手段と、前記真空容器内に設けられ前記プラズマにより表面加工される試料を配置する試料台と、前記試料に高周波バイアスを印加するための高周波電源とから成る表面加工装置において、前記高周波バイアスを周期的にオンとオフの期間に分けるとともに、オン期間における前記試料に入射するプラズマ中のイオンのエネルギーの最大値が1100eV以上となるように前記高周波電源の出力を設定したことを特徴とする表面加工装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 D ,  H05H 1/46 C

Fターム (19件)：

4K057DA02 ,  4K057DA11 ,  4K057DG15 ,  4K057DM18 ,  4K057DM20 ,  4K057DM29 ,  4K057DN01 ,  5F004AA02 ,  5F004AA06 ,  5F004AA16 ,  5F004BA16 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004DA04 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004EB02