特許
J-GLOBAL ID：200903038637919779
処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-008515
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224144
出願日： 1993年01月21日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【目的】 不活性ガスの消費量が少なくて済み、ローディングエリアを陽圧で高純度の不活性ガス雰囲気に維持できると共に、異常昇温を防止できて、半導体ウエハのロード/アンロード時の自然酸化膜の発生などを抑制できる非常に経済的で高性能な処理装置を提供することを目的とする。【構成】 装置本体1内に、半導体ウエハ5に処理するプロセス容器41に対し、半導体ウエハ5を挿脱するウエハボート61を備えたローディングエリア13を区画構成すると共に、このローディングエリア13内を陽圧の不活性ガス雰囲気に置換・維持するガス導入管71及びガス排気管72を備え、ローディングエリア13内の不活性ガスを導出して再度戻すガス循環経路81と、送風機82と、不活性ガスを浄化するガスフィルタ83,85と、不活性ガスを冷却する冷却器84とを備えたガス循環冷却浄化システムを設けたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
装置本体内に、被処理物に所定の処理を施す処理室に対し、被処理物を挿脱するローディング機構を備えたローディングエリアを区画構成すると共に、このローディングエリア内を陽圧の不活性ガス雰囲気に置換・維持するガス給排手段を備えてなる処理装置であって、ローディングエリア内の不活性ガスを導出して再度ローディングエリア内に戻すガス循環経路と、このガス循環経路に、送風機と、不活性ガスを浄化するガスフィルタと、不活性ガスを冷却する冷却器とを備えたガス循環冷却浄化システムを設けたことを特徴とする処理装置。
IPC (2件)：
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (11件)
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