電子放出素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小林良平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-096999
公開番号（公開出願番号）：特開平5-274998
出願日： 1992年03月23日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】特性が揃っておりかつ放出電流の大きな電子放出素子を提供する。【構成】 Siの微細加工技術を利用してSi基板10上に形成されたSiエミッタ20の先端部に、液体金属イオン源から放出したAu+イオンを集束し減速したAu+イオンビーム30を照射してAu薄膜21を形成する。【効果】 Siの微細加工技術の利用により形状の一定したエミッタが得られ、かつ、Siよりも仕事関数が小さく自由電子が多い金属薄膜を有するため放出電流が大きくなる。

請求項（抜粋）：

Si基板上に形成された先鋭なる先端を有する錐体により構成されるエミッタを備えた電子放出素子において、前記錐体をSiで形成し、前記錐体の先端部分に金属薄膜を形成したことを特徴とする電子放出素子。

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