特許

J-GLOBAL ID：200903038641807152

融液面位置測定方法及び装置並びに単結晶製造方法及び装置

発明者： 浦野 雅彦 ,  中野 秀樹
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-193822
公開番号（公開出願番号）：特開2002-013966
出願日： 2000年06月28日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体単結晶製造装置内の原料融液面位置を精度良く検出する。【解決手段】測定用光源22からの第1の投射光A1を炉体内の原料融液面M1上方に配設した炉体内構造物上の基準点33に直接照射する工程と、該測定用光源からの第2の投射光A2を該原料融液面M1に照射しその反射光A3を該炉体内構造物の基準点33に照射する工程を有し、該反射光A3の照射点35bと該基準点33とが一致したときの該反射光A3と原料融液面M1とのなす角(θ)及び該基準点33に照射したときの第1の投射光位置35aと該反射光A3の照射点35bと該基準点33とが一致したときの第2の投射光位置との直線距離(m)をそれぞれ測定し、基準点33と原料融液面M1との距離(L)をL=m×sinθの式で算出する。

請求項（抜粋）：

CZ法により炉体内に設けられたルツボ内の原料融液から単結晶を引上げる単結晶製造装置における原料融液面の位置を測定する方法であって、測定用光源からの第1の投射光を該炉体内の原料融液面上方に配設した炉体内構造物上の基準点に直接照射する工程と、該測定用光源からの第2の投射光を該原料融液面に照射しその反射光を該炉体内構造物の基準点に照射する工程を有し、該反射光の照射点と該基準点とが一致したときの該反射光と原料融液面とのなす角(θ)及び該基準点に照射したときの第1の投射光位置と該反射光の照射点と該基準点とが一致したときの第2の投射光位置との直線距離(m)をそれぞれ測定し、基準点と原料融液面との距離(L)を下記式(1)によって算出することを特徴とする融液面位置測定方法。【数1】L=m×sinθ ・・・・・・・(1)

IPC (3件)：

G01F 23/28 ,  C30B 15/26 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 15/26 ,  H01L 21/208 P ,  G01F 23/28 J

Fターム (13件)：

2F014AC06 ,  2F014FA01 ,  4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EG30 ,  5F053AA13 ,  5F053AA42 ,  5F053AA44 ,  5F053DD01 ,  5F053DD03 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01