特許

J-GLOBAL ID：200903038641927298

半導体製造装置および半導体装置の製造方法

発明者： 久保田 洋治
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-268393
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093883
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ放電を用いるドライエッチングなどの半導体製造装置において、処理の初期におけるシリコンウエハの温度の低さに起因する、加工ばらつき改善する。【解決手段】 下部電極4に埋め込まれた熱電対14によって直接プラズマ温度に近い下部電極4の温度を測定し、この温度の変化でサーキュレータ11bの流体温度を制御する。サーキュレータは、熱容量の小さな一次サーキュレータ12と熱容量の大きな二次サーキュレータ13からなり、熱容量が小さい一次サーキュレータ12により急速に流体温度を制御して、処理の初期における温度を短時間で所定の値に保ち、加工ばらつきを低減する。

請求項（抜粋）：

半導体基板を載置するためのステージと、前記ステージの表面部に設けられた温度測定手段と、内部に流体が流れるサーキュレータと、前記温度測定手段によって測定された温度に基づいて、前記流体の温度を制御する温度制御手段とを備え、前記サーキュレータと前記ステージとが接続されて、前記流体が前記サーキュレータと前記ステージの間を循環することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 C

Fターム (25件)：

5F004AA01 ,  5F004AA02 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004BC08 ,  5F004CA04 ,  5F004CA09 ,  5F004CB12 ,  5F004EA01 ,  5F045AA08 ,  5F045AF03 ,  5F045EB02 ,  5F045EH14 ,  5F045EJ05 ,  5F045EJ08 ,  5F045EJ09 ,  5F045EK10 ,  5F045EK21 ,  5F045EK27 ,  5F045EM02 ,  5F045GB05