特許
J-GLOBAL ID：200903038641962220
巨大磁気抵抗材料膜および磁気抵抗材料膜の磁化の調整方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-076863
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279116
出願日： 1995年03月31日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、従来構造ではできなかった磁性層の多層膜構造を実現できる積層構造にすることにより、高いMR比を得ることができると同時に、従来構造では避けられなかった硬質磁性材料層の漏洩磁界の問題を解消してMRセンサとしての感度低下を防止した巨大磁気抵抗材料膜および磁気抵抗材料膜の磁化の調整方法の提供を目的とする。【構成】 本発明は、磁性材料膜と非磁性膜23を複数積層した巨大磁気抵抗材料膜であって非磁性膜23を介してその両側に設けられる磁性材料膜のうち、一方の磁性材料膜を硬質磁性材料膜21から構成し、他方の磁性材料膜を軟質磁性材料膜24から構成するとともに、前記非磁性膜23と硬質磁性材料膜21との間に高飽和磁束密度を有する第3の強磁性材料膜22を設けてなるものである。
請求項（抜粋）：
磁性材料膜と非磁性膜を複数積層した巨大磁気抵抗材料膜であって非磁性膜を介してその両側に設けられる磁性材料膜のうち、一方の磁性材料膜を硬質磁性材料膜から構成し、他方の磁性材料膜を軟質磁性材料膜から構成するとともに、前記非磁性膜と硬質磁性材料膜との間に高飽和磁束密度を有する第3の強磁性材料膜を設けてなることを特徴とする巨大磁気抵抗材料膜。
IPC (4件)：
G11B 5/39
, H01F 10/28
, H01L 43/08
, H01L 43/10
G11B 5/39
, H01F 10/28
, H01L 43/08 Z
, H01L 43/10
