特許

J-GLOBAL ID：200903038643536296

半導体装置

発明者： 矢口 昭弘 ,  北野 誠 ,  河野 竜治 ,  田中 直敬 ,  米田 奈柄 ,  清水 浩也 ,  熊沢 鉄雄 ,  永井 晃
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-062419
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273250
出願日： 1994年03月31日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【構成】半導体素子1の回路形成面1aを積層配線基板6の半導体素子搭載面6aと対向させ、半導体素子1と積層配線基板6の対向面間に封止樹脂が介在できるように半導体素子1の回路形成面1aに接続した導電性リード3によって、半導体素子1を積層配線基板6に保持する。【効果】半導体素子と積層配線基板の対向面間に樹脂を介在させて半導体素子と積層配線基板の間隔を広くし、半導体素子と積層配線基板の線膨張係数差に起因して発生する熱応力を低減する。

請求項（抜粋）：

積層配線基板の一方の面に半導体素子を搭載するとともに、他方の面に複数のはんだバンプを形成し、前記半導体素子の周囲を樹脂で封止した半導体装置において、前記半導体素子の回路形成面を前記積層配線基板の前記半導体素子の搭載面と対向させ、前記半導体素子の前記回路形成面上に接合した複数の導電性リードによって前記半導体素子を前記積層配線基板上に保持するとともに前記導電性リードによって前記半導体素子と前記積層配線基板を電気的に接続し、前記半導体素子の前記回路形成面と前記積層配線基板の対向面間に樹脂を介在させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/50