特許

J-GLOBAL ID：200903038652672801

III-V族化合物半導体

発明者： 穴山 親志
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-315101
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152204
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板上に堆積できるワイドギャップ半導体に関し,ウルツ鉱型の III族窒化物混晶を結晶構造が異なる結晶上に成長することを目的とする。【構成】 セン亜鉛鉱型又はダイヤモンド型の結晶構造を有する半導体単結晶基板1上に堆積された,第一の成分と第二の成分とからなる半導体混晶2であって,第一の成分は,AlN,GaN及びInNのうちの一つ又は二以上の化合物からなり,第二の成分は,InP,GaP,AlP,InAs,GaAs,AlAs,InSb,GaSb及びAlSbのうちの一つ又は二以上の化合物からなり,第一の化合物と該第二の化合物との組成比は,半導体混晶2の結晶構造において V族原子で形成される四面体配位結合の平均原子間距離が該半導体結晶基板1の結晶構造において形成される四面体配位結合の原子間距離と略等しくなる組成であることを特徴として構成する。

請求項（抜粋）：

セン亜鉛鉱型及びダイヤモンド型のうち何れか一つの結晶構造を有する半導体単結晶基板(1)上に堆積された,第一の成分と第二の成分とからなる半導体混晶(2)であって,該第一の成分は,AlN,GaN及びInNのうちの一つ又は二以上の化合物からなり,該第二の成分は,InP,GaP,AlP,InAs,GaAs,AlAs,InSb,GaSb及びAlSbのうちの一つ又は二以上の化合物からなり,該半導体混晶(2)の該第一の成分と該第二の成分との比は,該半導体混晶(2)の結晶構造において V族原子が形成する四面体配位結合の平均原子間距離が該半導体結晶基板(1)における四面体配位結合の原子間距離と略等しくなる比でなることを特徴とするワイドギャップIII-V 族化合物半導体。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 33/00