特許
J-GLOBAL ID：200903038662182675
半導体材料の検査方法及びその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-177858
公開番号（公開出願番号）：特開平10-019791
出願日： 1996年07月08日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：
【要約】【課題】 半導体材料の検査時間が実質的に長くなることなく、スリップ及び異物の検出を容易に行うことができる半導体材料の検査方法及びその実施に使用する装置を提供する。【解決手段】 半導体材料Sによって反射されたArレーザ光Lの光路には、反射光の光量を所定の光量に減衰させる光学フィルタ7が配置してあり、光学フィルタ7の透過光は撮像装置8に入射され、該撮像装置8に備えられたCCD上に、Arレーザ光Lの照射領域の像が結像される。撮像装置8はCCD上の画像を光電変換して画像信号を生成し、画像処理装置9は閾値に基づいて、与えられた画像信号を2値化して2値化画像を生成し、それを表示装置又はプリンタ等の出力装置へ出力する。そして、2値化画像に島状の像が形成されていた場合、その位置に異物が存在すると判定し、線状の像が形成されていた場合、スリップであると判定する。
請求項（抜粋）：
半導体材料のバンドギャップより大きいエネルギを有する励起光を照射し、半導体材料から放射されるルミネッセンスを検出して半導体材料を検査する方法において、前記励起光を半導体材料に照射した部分を撮像し、得られた画像を予め設定した閾値に基づいて2値化し、その2値化画像に基づいて、半導体材料の表面にある欠陥の種類を判定することを特徴とする半導体材料の検査方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G01N 21/88 E
, H01L 21/66 N
, H01L 21/66 J
