特許
J-GLOBAL ID：200903038669934680
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-163040
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012806
出願日： 1996年06月24日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】 大電力をスイッチングする半導体モジュールにおいて、ヒューズは外付けされているが、システムのコストが高くなり、システムが大型になり、配線インダクタンスが大きくなる。【解決手段】 半導体モジュール内に過電流が流れたときに所定のボンディングワイヤ6が最初に溶断されるようにし、そのボンディングワイヤ6の周囲に消弧剤9を充填する。
請求項（抜粋）：
導体パターンを有する絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に設置され、電極を有する半導体チップと、前記絶縁性基板の周囲を囲むケースと、前記絶縁性基板の導体パターン及び前記半導体チップの電極のうち少なくとも一方と電気的に接続されるボンディングワイヤと、前記ケース内を充填し、少なくとも前記ボンディングワイヤを封止する消弧剤とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/58
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L 23/56 C
, H01L 25/04 C
